2003年,第2期,类别:电子制作

    本文介绍的测试方法可直接测试光电耦合器的重要参数——电流传输比CRT。
    测试电路见图。万用表(以DT830为例)拨至测NPN管挡,在hFE插口的c孔上有2．8V的电压,e孔在表内接200mV测试挡的输入端,e孔与地COM之间接有一个10Ω的电阻。如图接好所测光电耦合器(以P621为例)后,光耦的①、②脚间电压约为1V,流过发光二极管的电流i1约1mA。流过光敏管的电流i2在10Ω电阻上产生压降,量程为200mV的电压表所测的电压就是10Ω电阻上的电压,10Ω电阻起I-V转换的作用。
    万用表在测hFE时,等效量程为200mV但无小数点的电压表,这时显示值的1个单位代表0．1mV。如在LCD上的读数是1000,则表示10Ω电阻上的电压是1000×0．1=100mV,同时可推知i2=100/10=10mA。
    光电耦合器的电流传输比CRT的定义是CRT=i2/i1×100％,将i1、i2的数据代入,得CRT=10/1×100％,=1000％,数值上与LCD的读数相同,说明此法可直接测得光耦的CRT。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　山东  李秀萍